参考答案: 由于离子注入所造成的损伤区及畸形团,增加了散射中心及陷阱能级,使迁移率和寿命等半导体参数下降。此外,大部分的离子在被注入时并不位于替位位置,未退火之前的注入区域将呈显高阻区。为(1)激活被注入的离子(使其变成替位杂质);(2)恢复有序的晶格结构(如果是无定形结构,就谈不上替位杂质与间隙杂质),其目的是恢复迁移率(减少散射中心)和恢复寿命(减少缺陷能级,减少陷阱),必须在适当的时间与温度下将半导体退火。
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