参考答案:
干氧氧化:(优)结构致密,表面平整光亮;对杂质掩蔽能力强;钝化效果好;生长均匀性、重复性好;表面对光刻胶的粘附好,(缺)生长速率非常慢。
湿氧氧化:(优)生长速率介于干O2与水汽氧化之间;可由水温、炉温调节生长速率,工艺灵活性大;对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求,(缺)表面存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。
通常用湿氧氧化工艺制备较厚的二氧化硅层。在实际生产中,对于制备较厚的二氧化硅层来说往往采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式,既保证了二氧化硅层表面和Si-SiO2界面的质量,有解决了生长效率的问题。
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