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[单选题]三极管饱和区的放大条件为()。
A.发射结正偏,集电结反偏
B.发射结反偏或零偏,集电结反偏
C.发射结和集电结正偏
D.发射结和集电结反偏
[单选题]三极管饱和区的饱和条件为( )。
A.发射结正偏,集电结反偏
B.发射结反偏或零偏,集电结反偏
C.发射结和集电结正偏
D.发射结和集电结反偏
[单选题] 下列关系哪个属于三极管饱和的条件
A.IE=IC+IB
B.IB≥IC/β
C.IC=βIB
D.VCE=0.3V
[单选题]三极管的放大条件是( )
A.发射结与集电结都正偏
B.发射结与集电结都反偏
C.发射结正偏,集电结反偏
D.集电结正偏,发射结反偏
[单选题]三极管放大区的放大条件为( )。
A.发射结正偏,集电结反偏
B.发射结反偏或零偏,集电结反偏
C.发射结和集电结正偏
D.发射结和集电结反偏
[多选题]三极管的放大条件:(____)。
A.(NPN型):VC>VB>VE;
B. (NPN型):VC<VB<VE;
C. (PNP型):VC<VB<VE;
D. (PNP型):VC>VB>VE
[判断题]三极管的放大条件:发射结反偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的放大条件:发射结正偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的放大条件:发射结反偏、集电结正偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的放大条件:发射结正偏、集电结正偏。
A.正确
B.错误