[判断题]第 592 题, 本小题 1 分
断路器高压套管热像特征为局部发热热像,其故障特征为介质损耗偏大。
A.正确
B.错误

更多"[判断题]第 592 题, 本小题 1 分断路器高压套管热像特征为局"的相关试题:

[判断题]断路器高压套管热像特征为局部发热热像，其故障特征为介质损耗偏大。
A.正确
B.错误

查看答案

[判断题]断路器高压套管热像特征呈现以套管整体发热热像，其故障特征为局部放电故障。
A.正确
B.错误

查看答案

[判断题]3.143. 第143题
测量高压电容型套管的介质损耗时,将高压电容型套管水平放置在妥善接地的套管架上进行( )。
A.正确
B.错误

查看答案

[判断题]测量小容量试品的介质损耗时,要求高压引线与试品的夹角不小于90°。
A.正确
B.错误

查看答案

[多选题] 关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是(____)。
A. 绝缘良好的设备tanδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加
B. 绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tanδ值就较大,随着电压的升高tanδ值增大
C. 发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tanδ急剧增高
D. 绝缘中含有离子型杂质的设备,tanδ随电压上升而下降

查看答案

[多选题]2.26.
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大。
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高。
D.绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降。

查看答案

[多选题]2.26.第26题
关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大。
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高。
D.绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降。

查看答案

[单选题]4.28. 第28题
在预防性试验中，用QS型高压交流电桥测量35kV及以上电力变压器介质损失时，其值应小于( )。
A.2%
B.3%
C.4%
D.5%

查看答案

[判断题]测量小容量试品的介质损耗时,为了测量准确,应尽量增大高压引线与试品间的杂散电容,在气候条件较差的情况下尤为重要。
A.正确
B.错误

查看答案

[单选题]当电介质、外加电压及频率一定时，介质损耗功率P与tanδ成()，即可以用tanδ表示介质损耗的大小。
A.一定关系
B.反比关系
C.无关系
D.正比关系

查看答案

[判断题]采用介质损电桥的正、反接线进行测量时,其介质损耗的测量结果是相同的。
A.正确
B.错误

查看答案

[单选题]2.147. 第147题
用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用( )抗电场干扰好,测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量

查看答案

[单选题]2.147.
用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用（）抗电场干扰好，测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量