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[判断题]合成触媒使用后期,触媒床层温度控制小于在245℃。
A.正确
B.错误
[判断题]合成触媒使用初期,床层温度控制小于 225℃。
A.正确
B.错误
[单选题]触媒使用中期, 操作上要严格控制床层温度低于( )℃。
A.245
B.235
C.225
D.215
[单选题]Co-Mo 系耐硫变换催化剂使用后期,在催化剂床层温度提高的同时,原料气中H2S浓度应()。
A.适当降低
B.适当提高
C.保持不变
D.没有影响
[判断题]B-A-C-001 3 1 2
反应床层温度的控制是特殊控制回路。
A.正确
B.错误
[判断题] ( )加氢装置催化剂再生时控制空气加入量可以控制再生床层温度。
A.正确
B.错误
[判断题]B-A-D-009 4 1 2
加氢装置催化剂再生时控制空气加入量可以控制再生床层温度。
A.正确
B.错误
[单选题]B-A-C-041 3 2 3
关于裂化反应器床层温度的控制手段,下列选项不正确的是( )。
A. 将催化剂床层分层
B. 控制每个床层的入口温度
C. 尽量控制每个床层的入口温度相同
D. 在各床层之间注入急冷氢来控制上一层入口温度
[判断题]流化床中,由于床层内流体和固体剧烈搅动混合,使床层温度分布均匀,避免了局部过热现象。
A.正确
B.错误
[判断题]绝热层能较快的将床层温度提高至反应的最佳温度区域。
A.正确
B.错误
[判断题]固定床催化剂床层的温度必须严格控制在同一温度,以保证反应有较高的收率。( )
A.正确
B.错误
[判断题]合成氢氮比失调严重时应适当提高一床触媒入口气温度,以稳定床层温度。( )
A.正确
B.错误