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[单选题]关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是：D
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca2+.K+通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜出现超极化
E.突触后膜出现复极化
[单选题]关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是:( )
A. 突触前轴突末梢超极化
B. 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜出现超极化
E. 突触后膜出现复极化
[单选题][00350]关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是:( )
A. 突触前轴突末梢超极化
B. 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜出现超极化
E. 突触后膜出现复极化
[单选题]下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）
A.是局部除极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
[单选题]抑制性突触后电位的产生主要与哪种离子跨突触后膜内流有关
A.Na+
B.Ca2+
C.K+
D.Cl—
E.Mg2+
[单选题]抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性
A.Na+、K+，尤其是对K+
B.Ca2+、K+，尤其是对Ca2+
C.Na+、K+，尤其是对Na+
D.K+、Cl-，尤其是对Cl-
E.K+、Ca2+，尤其是对Ca2+
[判断题]突触后抑制是通过抑制性中间神经元释放抑制性递质,在突触后膜上产生抑制性突触后电位(IPSP)引起的抑制。
A.正确
B.错误
[单选题]兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是( )
A.突触前膜均去极化
B.突触后膜均去极化
C.突触前膜释放的递质性质一样
D.突触后膜对离子通透性一样
E.产生的突触后电位的最终效应一样
[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是
A.突触前轴突末梢去极化
B.Ca2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
E.突触后膜去极化，引起突触后神经元发放冲动
[单选题]抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na+ 内流
B.K+ 内流
C.Ca2+ 内流
D.Cl- 内流
E.K+ 外流
