[判断题]在 N 型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。
( )
A.正确
B.错误

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[判断题]半导体中自由电子的数量大大超过“空穴”的数量，成为以自由电子为主的半导体，称为P型半导体。( )
A.正确
B.错误

[判断题]P型半导体材料中自由电子的浓度远远低于空穴浓度，所以P型半导体带正电。
A.正确
B.错误

[判断题]N型半导体材料中自由电子的浓度远远高于空穴浓度，所以N型半导体带负电。
A.正确
B.错误

[判断题]在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）
A.正确
B.错误

[判断题]
因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
A.正确
B.错误

[判断题]
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子
浓度将不再相等。
A.正确
B.错误

[单选题]N型半导体中，多数载流子是
A.空穴
B.自由电子
C.原子核

[单选题]P型半导体中，多数载流子是
A.空穴
B.自由电子
C.原子核

[单选题]N型半导体中的多数载流子是:
A.自由电子
B.空穴
C.带正电的离子
D.带负电的离子

[单选题]P型半导体中的多数载流子是:
A.自由电子
B.空穴
C.带正电的离子
D.带负电的离子

[单选题]N型半导体中的少数载流子是:
A.自由电子
B.空穴
C.带正电的离子
D.带负电的离子

[单选题]P型半导体中的少数载流子是:
A.自由电子
B.空穴
C.带正电的离子
D.带负电的离子

[单选题]
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。
A.晶体缺陷
B.温度
C.杂质浓度
D.掺杂工艺

[单选题]在P型半导体中,多数载流子是( )。
[1分]
A.电子
B.离子
C.空穴
D.杂质

[单选题]在N型半导体中,多数载流子是( )。
[1分]
A.电子
B.空穴
C.离子
D.杂质

[单选题]在杂质半导体中,多数载流子的度主要取决于 ( )。
[1分]
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷

[单选题]在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度（）基区的。
A.大于
B.小于
C.等于
D.无关

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