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[单选题](77393)由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使IGBT的开关速度( )电力MOSFET。(2.0分)
A.低于
B.等于
C.高于
D.无法比较
[单选题]CRH1A动车组主变流箱内的IGBT开关元件采用的冷却方式是（ ）。
A.循环水冷
B.循环油冷
C.风冷
D.自然散热
[单选题]CRH1A型动车组主变流箱内的IGBT开关元件是采用___冷却方式。
A.循环水冷
B.循环油冷
C.强迫风冷
D.自然冷却
[多选题]串联谐振装置的变频电源采用IGBT开关变频电源采用（____）调频调压技术
A.PAM
B.PWM
C.IGBT
D.SPWM
[单选题]IGBT是MOSFET和双极型晶体管结构，其原理与MOSFET基本相同，但与MOSFET相比，_______。
A.IGBT速度更快，电流更大
B.IGBT速度较慢，但电流更大
C.IGBT的控制门极输入电阻更高
D.IGBT的耐压能力与MOSFET一样
[判断题]无刷直流电动机的逆变器主开关一般采用IGBT、功率MOSFET或GTO等全控型器件。
A.正确
B.错误
[多选题]IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性。( )
A.功率大
B. 开关频率高
C. 通态压降低
D. 损耗功率小
[单选题]IGBT综合了（ ）和MOSFET的优点，具有良好的特性。
A.GTM
B.GTN
C.GTO
D.GTR
[单选题]绝缘栅双极晶体管（IGBT)综合了 和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。
A.MOS
B.GTO
C.CMOS
D.BJT
[单选题](77572)IGBT综合了( )和MOSFET的优点,具有良好的特性。(2.0分)
A.GTM
B.GTN
C.GTO
D.GTR
[单选题]电力场效应管 MOSFET( )现象。
A.有二次击穿
B.无二次击穿
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
[单选题]三极管作为开关使用时,要提高开关速度,下列不属于的是( )。
A.降低饱和深度
B.增加饱和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗饱和三极管
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应晶体管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[判断题]( )TTL与非门电路开关速度快。
A.正确
B.错误
[单选题]电力MOSFET的通态电阻具有（ ）温度系数。
A.正
B. 负
C. 零
D. 稳定
[判断题]电力MOSFET根据导电沟道分为A沟道和N沟道。
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘栅双极型晶体管（IGBT）属于全控型电力电子器件。
A.正确
B.错误
[填空题]和谐型电力型机车采用IGBT（ ）变流机组。
