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[判断题]表面泄漏电流的大小主要决定于被试品的表面状况，当表面脏污且受潮严重时，表面泄漏电流会明显增大。
A.正确
B.错误
[单选题] 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用( )将表面泄漏电流直接回流到试验电源。
A.短接线
B.屏蔽环
C.分流器
[单选题] 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用（）将表面泄漏电流直接回流到试验电源。
A. 短接线
B. 屏蔽环
C. 分流器
[判断题]59 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。
A.正确
B.错误
[判断题]用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘子表面泄漏电流越大，污闪越严重。（）
A.正确
B.错误
[判断题]测量被试品的绝缘电阻时，试品表面脏污、油渍等会使表面泄漏电流增大，表面绝缘增大。
A.正确
B.错误
[单选题] 124/1137 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用（）将表面泄漏电流直接回流到试验电源。
A.A：.短接线
B.B：.屏蔽环
C.C：.分流器
[判断题]598/1137 用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用屏蔽环将表面泄漏电流直接回流到试验电源。
A.正确
B.错误
[单选题]试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tanδ和C测量结果的影响程度是（）。
A.试品电容量越大，影响越大
B.试品电容量越小，影响越小;
C.试品电容量越小，影响越大
D.与试品电容量的大小无关
[单选题]试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()。
A.试品电容量越大，影响越大
B.试品电容量越小，影响越小
C.试品电容量越小，影响越大
D.与试品电容量的大小无关
