更多"[判断题]利用A、B两个特高频传感器对GIS内部缺陷进行定位,A传感器"的相关试题:
[判断题]利用A、B两个特高频传感器对GIS内部缺陷进行定位,A传感器先于B传感器25ns收到信号,若两个传感器之间距离为10米,则缺陷位置在AB之间距B7.75米
A.正确
B.错误
[判断题]利用对、错两个特高频传感器对GIS内部缺陷进行定位,对传感器先于错传感器25ns收到信号,若两个传感器之间距离为10米,则缺陷位置在对错之间距错7.75米
A.正确
B.错误
[判断题]根据传感器安装位置不同,GIS特高频局部放电检测方法可分为内置式与外置式两种。
A.正确
B.错误
[判断题]8、根据传感器安装位置不同,GIS特高频局部放电检测方法可分为内置式与外置式两种。
A.正确
B.错误
[判断题]102.根据传感器安装位置不同,GIS特高频局部放电检测方法可分为内置式与外置式两种。
A.正确
B.错误