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[单选题]电力场效应管MOSFET适于在( )条件下工作
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
[判断题]( )电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
A.正确
B.错误
[单选题]电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止( )
A.时间久而失效
B.二次击穿
C.静电击穿
D.饱和
[单选题]电力场效应管MOSFET是理想的（ ）控制器件。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.功率
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]电力晶闸管的开关频率( )电力场效应管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]电力场效应管MOSEFT是( )器件。
A. 双极型
B. 多数载流子
C. 少数载流子
D. 无载流子
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度( )电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.等于
D.远高于
[单选题]CMOS集成电路采用场效应管，而且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为（ ）。
A.零
B.负值
C.正直
D.无穷大
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[单选题]在斩波器中,采用电力场效应管可以( )。
A.提高斩波频率
B.降低斩波频率
C.提高功耗
D.降低斩波效率
[判断题]( )斩波器中采用电力场效应管后可以提高斩波频率。
A.正确
B.错误
[单选题]场效应管主要优点
A.输出电阻小
B.输入电阻大
C.是电流控制
D.组成放大电路时电压放大倍数大
[判断题]IGBT集中了GTR和电力场效应管分别具有的优点，即电压控制、输入阻抗高、开关速度快、饱和压降低、损耗小、电压电流容量大、抗浪涌电流能力强、无二次击穿现象以及安全工作区宽等。
A.正确
B.错误
[单选题]场效应管是( )控制方式。
A.电流
B.电压
C.变压器
D.温度
