更多"[单选题] 硅稳压管工作在击穿区时,其伏安特性是( )。[1.0分]"的相关试题:
[单选题]硅稳压管在稳压电路中必须工作在( )区。
A.饱和区
B.反向击穿
C.导通
D.死区
[判断题]硅稳压管工作在工作区,使用时与负载并联。()
A.正确
B.错误
[单选题]硅稳压管稳压电路适用于( )的场合。
A.高电压
B.低电压
C.负载大
D.负载小
[单选题] 硅稳压管工作于( )时,它在电路中起稳定电压的作用。
A.正向电压区
B.死区电压区
C.反向电压区
D.反向击穿区。
[单选题]在硅稳压管稳压电路中,限流电阻R的作用是( )。
A.既限流又降压
B.既限流又调压
C.既降压又调压
D.既降压又调流
[判断题]由于硅稳压管的反向电压很低,所以它在稳压电路中不允许反接。
A.正确
B.错误
[简答题]对硅稳压管电源进行调试时,应保证在交流电源电压波动___%时,直流稳压输出电压稳定不变。
[单选题]稳压二极管是利用其伏安特性的( )特性进行稳压的。
A.正向起始
B.正向导通
C.反向
D.反向击穿
[判断题]稳压管工作在特性曲线的反向击穿区( )
A.正确
B.错误
[判断题]二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。( ) 要达到击穿电压
A.正确
B.错误
[判断题]二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。
A.正确
B.错误