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[判断题]N型半导体中自由电子是少数载流子。 （ ）
A.正确
B.错误
[单选题]N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称( )。
A.W型半导体
B.U型半导体
C.P型半导体
D.N型半导体
[判断题] 半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体,简称N型半导体。
A.正确
B.错误
[判断题]P型半导体中，自由电子是多数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A.正确
B.错误
[判断题](93) n型半导体中多数载流子是电子。电子带负电，所以n型半导体带负电。( )
A.正确
B.错误
[单选题]P型半导体中自由电子数目少余空穴数目其导电能力主要由空穴决定所以称为( )型半导体。
A.空穴
B.电子
C.光敏
D.热敏
[单选题]N型半导体中,多数载流子是( )。
A. 空穴
B.自由电子
C.原子核
[单选题] 半导体中空穴数目大于自由电子数目,这样的半导体称为
A.P型半导体
B.本征半导体
C.N型半导体
D.纯净半导体
[单选题]半导体中的空穴比自由电子数目多，这样的半导体称为（ ）。
A.Ｐ型半导体
B.本征半导体
C.Ｎ型半导体
D.ＰＮ结
[单选题]半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为( )。
A.P 型半导体
B.本征半导体
C.N 型半导体
D.无法确定
[单选题]半导体中的自由电子和空穴的数目相等这样的半导体叫做( )。
A.N型半导体
B.P型半导体
C.杂质半导体
D.本征半导体
[单选题]IGBT导通时,由P+注入区向N基区发射少数载流子,从而对漂移区( )进行调制,使IGBT具有很强的通流能力。
A.电导率
B.降压值
C.耐压值
D.电热率
[判断题]半导体中的自由电子和空穴参与导电。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]如果温度升高,半导体的自由电子数将( )。
A.增加
B.不变
C.减少
D.一会增加,一会减少
[判断题]自由电子和空穴同时参与导电,是半导体导电的基本特征。( )
A.正确
B.错误
