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发布时间:2023-12-26 03:52:27

[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )
A.正确
B.错误

更多"[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和"的相关试题:

[判断题]( ) 为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管作开关应用时,是工作在饱和状态和截止状态的。( )
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管作开关应用时,是工作在饱和状态的。
A.正确
B.错误
[判断题][判断题]晶体三极管作开关应用时, 是工作在饱和状态和截止状态。
A.正确
B.错误
[填空题] 为提高抗干扰能力,在开关量输入输出电路中都会用到( )隔离。
[单选题] 微机保护为提高抗干扰能力,一次设备场所至保护屏控制电缆的屏蔽层接地方式为( )。
A.开关站接地,保护屏不接地;
B.开关站不接地,保护屏接地;
C.两侧接地;
D.两侧不接地。
[单选题]在反相器电路中,装上加速电容器的目的是为了( )。
A.确保晶体三极管可靠截止
B.确保晶体三极管可靠饱和
C.提高开关速度,改善输出波形
D.上述答案均正确
[单选题]为提高用电信息采集系统的可靠性和抗干扰能力,可采取(_)的措施。
A.降低传输速度,减少信号重发次数
B.降低传输速度,增加信号重发次数
C.提高传输速度,增加信号重发次数
D.提高传输速度,减少信号重发次数
[判断题]开环控制系统具有抗干扰的能力。
A.正确
B.错误
[单选题]为提高电子设备的抗干扰能力,主要措施有屏蔽、、滤波、 隔离、接地,其中()是应用最多的方法。
A.屏蔽
B.滤波
C.隔离
D.接地
[单选题]焊接机器人抗干扰能力差,( )。
A.不能采用TIG接方法
B.能采用TIG接方法
C.可以采用TIG接方法
D.必须采用TIG接方法
[单选题]下列哪种调制方式的抗干扰能力最强()
A. BPSK
B. QPSK
C. 16QAM
D. 64QAM
[判断题]RS232通信,只有通过提高信号电平来抗干扰。( )
A.正确
B.错误
[单选题]下列传输介质中,抗干扰能力最强的是( )。(中)
A.双绞线
B.光缆
C.同轴电缆
D.电话线

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