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[填空题]当三极管的发射结和集电结都正偏时,三极管处于()状态。
[判断题]三极管的发射结正偏、集电极反偏,三极管处于放大状态。
A.正确
B.错误
[填空题]当三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于()状态。
[判断题]三极管的发射结、集电结反偏,三极管处于饱和状态。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的放大条件:发射结反偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的截止条件:发射结反偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的截止条件:发射结反偏、集电结正偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的饱和条件:发射结反偏、集电结正偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的放大条件:发射结反偏、集电结正偏。
A.正确
B.错误
[单选题]三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[判断题]三极管的放大条件:发射结正偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的饱和条件:发射结正偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误