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[单选题]抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性
A.钠离子、钾离子,尤其是对钾离子
B.钙离子、钾离子,尤其是对钙离子
C.钠离子、钾离子,尤其是对钠离子
D.钾离子、氯离子,尤其是对氯离子
E.钾离子、钙离子,尤其是对钙离子
[单选题] 产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是
A.突触前末梢递质释放减少
B.突触后膜Ca2+电导降低
C.突触后膜Na+电导降低
D.中间神经元受抑制
E.突触后膜发生超极化
[单选题]关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是
A.突触前轴突末梢去极化
B.钙离子由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对氯离子或钾离子的通透性升高
E.突触后膜去极化,引起突触后神经元发放冲动
