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[简答题] 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能， ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
[简答题] 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量m*p=0.86m0，m0为电子的惯性质量，求 ①受主杂质电离能； ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。
[简答题]一根以聚四氟乙烯εr=2.10为填充介质的带状线，已知其厚度b=5mm，金属导带厚度和宽度分别为t=0、W=2mm，求此带状线的特性阻抗及其不出现高次模式的最高频率。
[简答题]对于特性阻抗为50Ω的铜导体带状线，介质厚度b=0.32cm，有效相对介电常数εr=2.20r，求线的宽度W。若介质的损耗角正切为0.001，工作频率为10GHz，计算单位为dB/λ的衰减，假定导体的厚度为t=0.01mm。
[简答题]已知带状线介质厚度b=2mm，金属导带厚度t=0.1mm，宽度W=1.7mm，计算聚四氟乙烯（εr=2.1）敷铜带状线的特性阻抗。
[简答题]已知带状线厚度b=3.16mm，相对介电常数εr=2.20，计算特性阻抗为100Ω带状线的导体带宽度，并求4.0GHz时此线的波导波长。
[简答题]已知带状线两导体平板之间的距离为b=1mm，中心导体带的宽带为W=2mm，厚度为t=0.5mm，填充的介质的相对介电常数为εr=2，求该带线主模的相速度和带线的特性阻抗。
[简答题]已知带状线两接地板间距b=6cm，中心导带宽度W=2cm，厚度t=0.55cm，试求填充εr=2.25和εr=2.55时的特性阻抗。
[单项选择]两个两位数相加，其中一个加数是73，另一个加数不知道，只知道另一个加数的十位数字增加5，个位数字增加1，那么求得的和的后两位数字是72，问另一个加数原来是多少
A. 63
B. 56
C. 53
D. 48
[单项选择]两个或多个进程可以一道向前推进，即一个进程的第一个动作可以在另一个进程的最后一个动作结束之前开始是属于进程的( )。
A. 动态性
B. 并发性
C. 独立性
D. 交往性
[单项选择]如果两个概念之间，一个概念的外延完全包含在另一个概念的外延之中，而且仅仅成为另一个概念外延的一部分，则这两个概念之间的关系是（）
A. 全同关系
B. 包含关系
C. 交叉关系
D. 矛盾关系
[单项选择]一个设备有两个IP地址，一个地址是192.123.46.219，另一个地址可能是( )。
A. 192.123.46.220
B. 192.123.47.219
C. 192.163.46.0
D. 以上都有可能
[单项选择]一个设有两个IP地址，一个地址是192.168.11.25，另一个地址可能是（）。
A. 192.168.11.0
B. 192.168.11.26
C. 192.168.13.25
D. 以上都有可能
