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[单项选择]不属于晶体三极管极限参数的是（）。
A. 反向击穿电压
B. 反向饱和电流
C. 集电极最大允许电流
D. 集电极最大允许耗散功率
[单项选择]晶体三极管的放大参数是（）。
A. 电流放大倍数
B. 电压放大倍数
C. 功率放大倍数
D. 功放放大倍数
[单项选择]JSS-4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和（）的常用仪器。
A. 击穿电压
B. 耗散功率
C. 饱和电流
D. 频率特性
[单项选择]在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。
A. PNP型的基极
B. NPN的基极
C. PNP型的发射极
D. NPN的发射极
[单项选择]由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。
A. 1
B. 2
C. 3
[单项选择]当晶体三极管的两个PN结都反偏时，晶体三极管处于（）状态。
A. 饱和；
B. 放大；
C. 截止。
[判断题]集成电路内通常包含有晶体二极管，晶体三极管，电阻，电容和电感。
[判断题]JT一1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。
[填空题]硅管和锗管是两种不同材料的晶体三极管。晶体三极管的排列方式分为（）和（）。
[判断题]晶体三极管由两个PN结构成，所以能用两个二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
[单项选择]在晶体三极管的主要参数中，表示（）。
A. 电流放大倍数
B. 电压放大倍数
C. 功率放大倍数
D. 集电极最大电流
[单项选择]温度减小时，使晶体三极管参数发生如下变化（）。
A. VBE减小，β增加，ICBO增加
B. VBE减小，β减小，ICBO减小
C. VBE增加，β增加，ICBO增加
D. VBE增加，β减小，ICBO减小
[单项选择]晶体三极管在一定的集电极电压作用下，加在基极与发射极之间的电压与基极电流之间的关系称晶体三极管的（）。
A. 静态特性
B. 动态特性
C. 输出特性
D. 输入特性
[判断题]在双稳态触发器电路中，晶体三极管只有饱和及截止两种状态，因此在工作时晶体三极管不需经过放大工作状态。
[单项选择]在OTL功率放大器中，两晶体三极管特性和参数相同并且一定是（）。
A. NPN管与NPN管
B. PNP管与PNP管
C. NPN管与PNP管
D. NPN管或PNP管
