[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态（）
A.正确
B.错误

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[判断题]( ) 为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
A.正确
B.错误

[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )231000000
A.正确
B.错误

[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误

[单选题]晶体三极管要处于饱和状态必须满足(　　)。
A.发射结集电结构正偏
B.发射结集电结均反偏
C.发射结正偏集电结反偏
D.发射结反偏集电结正偏

[单选题]晶体三极管工作在饱和状态时，它的集电极电流将（）
A.随着基极电流的增加而增加
B.随着基极电流的增加而减小
C.与基极电流无关，只取决于VCC和RC
D.与发射极电流有关

[判断题]晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态的。
A.正确
B.错误

[单选题]为了提高变频器的抗干扰能力，一般选用（）作为变频器件。
A.晶体管
B.二极管
C.场效应管
D.集成管

[判断题]为了提高模拟量输入电路的抗干扰能力,可采用差动输入方式。( )
A.正确
B.错误

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