更多"MOSFET是（）器件。"的相关试题:
[多项选择]电力电子器件P-MOSFET为（）器件。
A. 电压控制型
B. 电流控制型
C. 单极型
D. 双极型
[判断题]电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
[单项选择]电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
A. 电压
B. 电流
C. 电阻
D. 功率
[判断题]目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
[单项选择]下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。
A. 晶闸管
B. GTO
C. 1GBT
D. IPM
[单项选择]功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。
A. 电压
B. 电流
C. 功率
[单项选择]目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。
A. 晶闸管
B. 可控硅
C. 功率集成器件
D. 晶体管
[填空题]P-MOSFET是多数载流子工作的器件，其元件的通态电阻具有正的（），有较宽的安全工作区。
[填空题]在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
[单项选择]电力场效应管MOSFET（）现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[单项选择]P－MOSFET的三个电极为（）。
A. G、S、D
B. G、S、K
C. G、D、K
D. A、K、D
[多项选择]功率MOSFET的极限参数指的是（）。
A. 最大漏极电流
B. 最小漏极电流
C. 最大许用漏-源电压
D. 最小许用漏-源电压
[单项选择]N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
A. Uc＞Us，UCs=0.6~0.7V
B. Uc＞Us，UCs=0.45—3V
C. Uc＜US，UcS=0.6—0.7V
D. Uc＜Us，Ucs=0.45—3V
[多项选择]电力电子器件GTR为（）器件。
A. 电压控制型
B. 电流控制型
C. 单极型
D. 双极型
