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[单选题]如下非蒸发镀膜上常用的蒸发源材料为 。( )。 (1 分)
A.钨
B.钼
C.钽
D.镍
[单选题]蒸发镀膜靶材主要以( )形式被蒸发出来 (1 分)
A.原子团或离子形式
B.分子
C.原子
D.粒子
[单选题]蒸发镀膜三个步骤为:( )。 (1 分)
A.加热蒸发=〉原子或分子运输=〉沉积
B.原子或分子运输=〉沉积=〉加热蒸发
C.沉积=〉加热蒸发=〉原子或分子运输
D.原子或分子运输=〉加热蒸发=〉沉积
[单选题]蒸发镀膜设备属于下列哪种原理( )。 (1 分)
A.真空离子蒸发
B.磁控溅射
C.MBE分子束外延
D.PLD激光溅射沉积
[单选题]如下不是蒸发镀膜设备特点的是 。( )。 (1 分)
A.成膜速度快
B.可使用高熔点材料
C.成膜的附着力较弱
D.设备构造较溅射设备简易
[单选题]蒸发镀膜膜厚均匀性,不相关的是( )。 (1 分)
A.镀膜时间,速率大小,膜厚大小
B.基片材料与靶材的晶格匹配程度
C.基片表面温度,腔体真空度
D.基板厚度
[单选题] 不属于蒸发镀膜工艺中使用的加热方式。( )。 (1 分)
A.电阻式加热
B.高频感应加热
C.电子束加热
D.等离子加热
[单选题]蒸发镀膜厚度均匀性的说法,不正确的是( )。 (1 分)
A.镀膜时间无关
B.基片材料与靶材的晶格匹配程度有关
C.基片表面温度,腔体真空度有关
D.速率大小,膜厚大小有关
[单选题]蒸发镀膜过程中需要加热灯进行高温烘烤的主要原因是 。( )。 (1 分)
A.使腔室表面吸附的气体解吸
B.减少蒸镀时间
C.增加镀膜的附着力
D.以上都不是
[单选题]蒸发镀膜靶材气化为具有一定能量( )的粒子(原子、分子或原子团) (1 分)
A.0.1~0.3Ev
B.10~20Ev
C.20~30Ev
D.30~40eV
[单选题]下列不是蒸发设备所包含的构件是( )。
A.加热室
B.分离室
C.气体分布器
D.除沫器
[单选题]EI-5Z设备,蒸发材料加热的方法为( )。 (1 分)
A.电阻
B.电子束
C.电阻和电子束
D.电子束和高频电源
[单选题]无法使用于合金材料蒸发的是 。( )。 (1 分)
A.瞬间蒸发法
B.多源蒸发法
C.合金蒸发法
D.电弧蒸发法
[单选题]蒸着:材料给予热能量(10-1~?eV),材料蒸发基板上堆积( ) (1 分)
A.10-2
B.10-3
C.10-4
D.10-5
[多选题]接触网一般材料包含哪些？
A.电力金具
B.关键受力零部件之外的其它零件及接触网零件用螺栓
C.避雷器
D.铝绞线、铝包钢芯铝绞线
[单选题]多少真空度以下真空中,材料加热蒸发,基板上堆积成膜称为蒸着?( ) (1 分)
A.10-1pa
B.10-2pa
C.10-3pa
D10-4pa
