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[单项选择]晶体三极管要处于放大状态必须满足()。
A. 发射结集电结构正偏
B. 发射结集电结均反偏
C. 发射结正偏集电结反偏
D. 发射结及偏集电结正偏
[单项选择]晶体三极管工作在放大状态时,应满足()。
A. 发射结、集电结均正偏
B. 发射结、集电结均反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
[单项选择]晶体三极管工作在放大状态的外部条件是()。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结正偏、集电结反偏
C. 发射结反偏、集电结正偏
D. 发射结反偏、集电结反偏
[判断题]晶体三极管的电流放大作用是指当小电流流过三极管后就会变成大电流。
[单项选择]真空三极管的放大过程与晶体三极管的放大过程不同点是,真空三极管属于()控制型。
A. 可逆
B. 功率
C. 电压
D. 电流
[单项选择]晶体三极管的放大参数是()。
A. 电流放大倍数
B. 电压放大倍数
C. 功率放大倍数
[单项选择]晶体三极管用于放大时,则()。
A. 发射结正偏,集电结反偏
B. 发射结反偏,集电结反偏
C. 发射结反偏,集电结正偏
D. 发射结正偏,基集反偏
[单项选择]晶体三极管作放大使用时,必须()。
A. 发射结与集电结都加正向电压
B. 发射结与集电结都加反向电压
C. 发射结加反向、集电结加正向
D. 发射结加正向、集电结加反向
[单项选择]晶体三极管的直流电流放大系数等于()。
A. Ie/Ib
B. Ic/Ib
C. Ic/Ie
D. Ib/Ic
[单项选择]晶体三极管具有放大作用,发射结和集电结必须分别加()。
A. 正向偏置和反向偏置
B. 反向偏置和正向偏置
C. 均为正向偏置
[判断题]硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
[单项选择]关于晶体三极管的放大特性,如果晶体管的基极电流是50mA,发射极的工作电流是2.5A,那么该三极管的放大倍数是多少()。
A. 45
B. 50
C. 55
D. 60
[单项选择]NPN型晶体三极管处于放大状态时,各极电位关系是()。
A. Uc>Ue>Ub
B. Uc>Ub>Ue
C. UcD. Uc
[单项选择]在NPN型晶体三极管放大电路中,基极与发射极短路,则晶体管()
A. 深度饱和
B. 将截止
C. 集电极正偏
D. 发射结反偏
[判断题]晶体三极管具有放大作用,发射结和集电结必须分别加正向偏置和反向偏置。
[单项选择]晶体三极管放大电路中,集电极电阻Rc的主要作用是()。
A. 为晶体管提供集电极电流
B. 把电流放大转换成电压放大
C. 稳定工作点
D. 降低集电极电压
[单项选择]晶体三极管的发射结正偏,集电极反偏时,则晶体三极管所处的状态是()
A. 放大状态
B. 饱和状态
C. 截止状态