更多"[单选题]1149.抑制性突触后电位"的相关试题:
[单选题]突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电
位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的
A.电位大小随刺激的强度改变
B.有时间总和
C.有空间总和
D.是全或无的
E.以电紧张方式扩布
[单选题]兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是:
A. 突触前膜均去极化发生兴奋反应
B. 突触后膜均去极化发生兴奋反应
C. 突触前膜释放的递质性质一样
D. 突触后膜对离子通透性一样
E. 产生的突触后电位的最终效应一样
[单选题]兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的形成过程中，
共同的是：
A.突触前膜均发生去极化
B.突触前膜释放的递质的性质一样
C.突触后膜对离子的通透性的改变一样
D.突触后膜均发生去极化
E.突触后膜均发生超极化
[单选题]抑制性突触后电位
A.是去极化局部电位
B.是超极化局部电位
C.具有全或无特征
D.是突触前膜递质释放减少所致
E.是突触后膜对 Na+通透性增加所致
[单选题]抑制性突触后电位是
A.去极化局部电位
B.超极化局部电位
C.具有全或无特性
D.突触后膜Na+通透性增加所致
E.突触前膜递质释放减少所致
[单选题]突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电
位
A.K+ 、Cl-尤其是 K+
B.Na+ 、Cl-尤其是 Na+
C.K+ 、Cl-，尤其是 Cl-
D.Ca2+、Cl-，尤其是 Ca2+
E.Na+ 、Cl-，尤其是 Cl-
[单选题]1374.抑制性突触后电位
A.A.由突触前末梢递质释放减少而产生
B.B.使突触后膜电位远离阈电位水平
C.C.由突触后膜钠电导增加而产生
D.D.由突触后膜钙电导增加而产生
E.E.是一种去极化抑制的突触后电位
[单选题]突触后膜对下列哪些离子的通透性增加引起抑制性突触后电位
A.Na+、Cl-尤其是Cl-
B.Na+、Cl-尤其是Na+
C.K+、Cl-尤其是K+
D.K+、Cl-尤其是Cl-
E.Ca2+、Cl-尤其是Ca2+
[单选题]
兴奋性与抑制性突触后电位相同的是
A.突触后膜局部去极化
B.递质使后膜对离子通透性改变所致
C.为“全或无”式电位改变
D.后膜对Na+离子通透性增加
E.可总和在轴突始段爆发动作电位
[单选题]兴奋性与抑制性突触后电位相同点是:
A. 突触后膜膜电位去极化
B. 是递质使后膜对某些离子通透性改变的结果
C. 都可向远端不衰减传导
D. 都与后膜对 Na +通透性降低有关
E. 以上都不对
[多选题]
对抑制性突触后电位的正确描述是
A.为“全或无”式
B.幅度较EPSP大
C.有总和现象
D.为后膜对Cl-和K+的通透性增高所致
E.以电紧张性方式传导
[单选题]抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性
A.Na+、K+,尤其是对K+
B.Ca2+、K+,尤其是对Ca2+
C.Na+、K+,尤其是对Na+
D.K+、Cl-,尤其是对Cl-
E.K+、Ca2+,尤其是对Ca2+
