更多"[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保"的相关试题:
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.5
B.0.6
C.0.7
D.0.8
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持()m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.
A.0.35
B.B.0.5
C.C.0.6
D.D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持()m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持()m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A. A.O.35
B.B.0.5
C.C.0.6
D.D.0.7