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[填空题]场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
[填空题]场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
[单项选择]场效应管可应用于（）
A. 交流放大器，电压控制器，直流放大器
B. 整流电路，放大电路
C. 滤波电路，整流电路
D. 小规模集成电路，开关电路
[单项选择]功率场效应管属于（）。
A. 单极性电压控制元件
B. 单极性电流控制元件
C. 双极性电压控制元件
D. 双极性电流控制元件
[单项选择]电力场效应管MOSFET（）现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[单项选择]场效应管栅极用（）表示。
A. C
B. G
C. S
D. D
[单项选择]场效应管本质上是一个（）
A. 电流控制电流源器件
B. 电流控制电压源器件
C. 电压控制电流源器件
D. 电压控制电压源器件
[单项选择]电力场效应管指的是（）。
A. MOSFET
B. GTO
C. IGBT
D. GTR
[单项选择]场效应管是（）控制的器件。
A. 电阻
B. 电流
C. 电压
D. 功率
[单项选择]结型场效应管可分为（）。
A. MOS管和MNS管
B. N沟道和P沟道
C. 增强型和耗尽型
D. NPN型和PNP型
[单项选择]场效应管是（）型控制元件。
A. 电压
B. 电流
C. 功率
D. 电阻
[多项选择]IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）
A. 电磁噪音很小
B. 电流波形大为改善，电机的转矩增大
C. IGBT管二次击穿现象小
D. 最大管子容量比GTO管大的多
[单项选择]下面说法错误的是（）
A. 若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
B. 计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C. 处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D. 半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置
