更多"[判断题]介质损耗因数tanδ反映的是绝缘整体的特性，对局部集中性缺陷"的相关试题:
[单选题]介质损耗因数tanδ是反映绝缘介质损耗大小的特性参数，与绝缘的体积大小（____）。
A.线性正相关
B.非线性正相关
C.成反比
D.无关
[单选题]测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是（____）。
A.整体受潮
B.整体劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
[多选题]测量电磁式电压互感器的介质损耗因数由于被试设备绝缘方式不同，可分（_____)。
A.全绝缘
B.高绝缘
C.分级绝缘
D.低绝缘
[单选题]现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是（____）。
A.桥体加反干扰源
B.将试验电源移相或选相、倒相
C.改用与干扰源同步的电源作试验电源
D.将电桥移位，远离干扰源
[单选题]110kV电流互感器末屏绝缘电阻＜（____）MΩ时，需通过测量末屏介质损耗因数作进一步判断。
A.800
B.1200
C.1500
D.1200
[多选题]测量介质损耗因数,对发现以下哪些( )缺陷较为有效?
A.整体受潮
B.绝缘油劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺
[单选题]在测量套管的介质损耗因数时，可同时测得其（ ）。
A.电阻值
B.阻抗值
C.电容值
[多选题]下列属于电容型设备介质损耗因数测量方法的是(____)。
A.谐波分析法
B. 过零比较法
C. 正弦波参数法
D. 相对比较法
[判断题]110kV电流互感器末屏介质损耗因数测量时应采用正接法测量。
A.正确
B.错误
[判断题]干式电抗器需测量绕组连同套管的介质损耗因数 (tanδ) 及电容量。
A.正确
B.错误
[单选题]110kV电流互感器末屏介质损耗因数测量电压为（____）kV。
A.1
B.2
C.3
D.4
[多选题]根据Q/GDW1168-2013输变电设备状态检修试验规程，变压器介质损耗因数tanδ测试中注意事项有（____）。
A.顶层油温宜低于50℃且高于零度
B.记录顶层油温
C.记录空气相对湿度
D.非测量绕组及外壳接地
[单选题]110kV电流互感器末屏介质损耗因数测量时测试值通常要求小于（____）。
A.1.5
B.1
C.0.15
D.0.015
[单选题]110kV电流互感器末屏介质损耗因数测量时二次绕组应（____）。
A.接地
B.短路
C.短路接地
D.开路
[判断题]35kV电压等级的油浸式互感器的介质损耗因数（tanδ）及电容量不需要测量。
A.正确
B.错误
[单选题]交接试验，试验电压10kV条件下，断路器断口并联电容器的介质损耗因数测试值不应大于（____）。
A.0.001
B.0.002
C.0.005
D.0.007
