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[填空题]可控硅元件导通的条件是①( )，②( )3.偏移圆阻抗继电器、方向圆阻抗继电器和全阻抗继电器中，( )受过渡电阻的影响最大，( )受过渡电阻的影响最小。
[填空题]可控硅元件关断的条件是( )之间加( )。
[填空题]可控硅元件关断的条件是阴极与阳极之间加( )。
[填空题] 三项可控硅全控桥可作( )运行,也可作( )运行。
[填空题]为了提高正向阻断电压，作为调制开关的可控硅一般( )使用，但需要考虑均压问题。
[填空题]由充电电路、氢闸流管或可控硅、人工线和脉冲变压器组成的调制器属于( )开关脉冲调制器。
[判断题]全控桥中硅元件的导通是有序的。( )
A.正确
B.错误
[判断题]全控桥整流中硅元件的导通是有序的。( )
A.正确
B.错误
[判断题]过电流保护在系统运行方式变小时，保护范围也将缩短。( )
全控桥中硅元件的导通是有序的。( )
A.正确
B.错误
[多选题]对于品闸管元件，针对其导通条件下列说法错误的是( ).
A.阳极阴极之间必须施加反向电压
B.晶闸管被触发导通后，控制极不会失去作用
C.控制极对阴极必须施加正向控制电压
D.控制极对阴极必须施加反向控制电压。
[简答题]晶闸管导通具备什么条件?导通后其电流大小取决于什么?
[多选题]三相桥式半控整流电路中，同一时刻(____)整流元件导通。
A.受触发的二极管
B.受触发的晶闸管
C.阴极电位最低的二极管
D.阴极电位最高的二极管
[判断题]晶闸管元件导通以后,通过晶闸管的电流由电源电压与回路阻抗所决定。( )
A.正确
B.错误
[判断题]检查设备接地线之间的导通情况，要求导通良好变压器及避雷器、避雷针等设备应测量接地引下线导通电阻。
A.正确
B.错误
[单选题]可控硅导通条件是( )。
A.阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压
B.阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压
C.阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压
D.阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
[多选题]晶闸管导通条件是( )。
A.阳极与阴极之间加正向电压
B.阳极与阴极之间加反向电压
C.控制极与阴极之间加正向电压
D.控制极与阴极之间加反向电压
E.阳极与控制极间加正向电压
[多选题]检查设备接地线之间的导通情况，要求导通良好（）等设备应测量接地引下线导通电阻。
A.变压器
B.避雷器
C.断路器
D.避雷针
[单选题]晶闸管的导通条件(____)。
A.适当的正向阳极电压
B.适当的正向门极电压
C.适当的反向阳极电压
D.适当的正向阳极电压和适当的正向门极电压
[单选题]普通二极管导通的条件是(____)。
A.阴极电位高于阳极电位
B. 阳极电位等于阴极电位
C. 阳极电位高于阴极电位
D. 以上皆不是
