更多"[填空题]P型半导体的多子为（ ）、N型半导体的多子为（ "的相关试题:
[填空题]在本征半导体中掺杂少量 5 价元素,可构成（ ）型半导体。在本征半导体中 掺杂少量 3 价元素,可构成（ ）型半导体。
[判断题] N 型半导体的多数载流子是电子,因此 N 型半导体带负电。
A.正确
B.错误
[判断题] 因为 P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电。
A.正确
B.错误
[判断题]N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
A.正确
B.错误
[填空题]场效应管属于（ ）型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是（ ）型器件。
[判断题] P 型半导体中的多数载流子为空穴。
A.正确
B.错误
[判断题] N 型半导体中的少数载流子为空穴。
A.正确
B.错误
[填空题]少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为（ ）。
[简答题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。 （ ）
[填空题]在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
[单选题]P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的。
A.硅元
B.锗元素
C.三价硼元素
D.五价锑元素
[判断题]P型半导体中空穴是多数载流子，故带正电。( )
A.正确
B.错误
[单选题]P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。
A..三价
B..四价
C..五价
D..六价
[单选题]在P型半导体中,()是多数载流子。
A.空穴
B.电子
C.硅
D.锗
[单选题]在P型半导体中,()是少数载流子。
A.空穴
B.电子
C.硅
D.锗
