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[单选题]以下不属于PVD镀膜技术的是( )。 (1 分)
A.真空蒸发镀膜..
B.真空溅射镀膜..
C.真空离子镀膜..
D.无机镀膜
[单选题]下列不会对溅射镀膜时的溅射产额产生影响的因素是:( )。 (1 分)
A. 入射粒子的能量
B.入射粒子的角度
C.基体
D.靶材的晶态结构
E.靶材温度
[单选题]溅射镀膜需要在什么环境下进行( )。 (1 分)
A.低真空
B.高真空
C.中真空
D.标准大气压
[单选题]磁控溅射镀膜时需要充入什么气体( )。 (1 分)
A.二氧化碳
B.空气
C.氩气
D.氢气
[单选题]磁控溅射镀膜最主要的特点是:( )。 (1 分)
A.沉积速率高、基体温升低
B.沉积速率低、基体温升低
C.沉积速率高、基体温升高
D.沉积速率低、基体温升高
[单选题]对PVD溅射镀膜的描述错误的是( )。 (1 分)
A.对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可以实现溅射。
B.溅射所获得的薄膜纯度高,致密性好。
C.相对于真空蒸发,它的沉积速率高。
D.溅射工艺可重复性好
[单选题]以下不属于PVD工艺中使用的金属是( )。 (1 分)
A.Al
B.Ti
C.Cu
D.Mg
[单选题]溅射镀膜工作于直流二级低压放电I-V曲线的哪个区域:( )。 (1 分)
A. 汤森放电区域
B. 正常辉光放电区域
C.异常辉光放电区域
D.都是
[单选题]如下不属于PVD的是 。( )。 (1 分)
A.蒸发镀膜
B.离子镀膜
C.溅射镀膜
D.低压气相沉积镀膜
[单选题]利用溅射除了进行镀膜还可以进行什么( )。 (1 分)
A.刻蚀
B.硬化
C.切割
D.降温
[单选题]溅射有以下哪些特征( )。 (1 分)
A.膜附着强度强
B.段差覆盖性好
C.容易进行合金膜的制程
D.以上均是
[单选题]溅射设备包含了以下哪些构成( )。 (1 分)
A.腔体
B.阴极
C.搬送系统
D.以上均有
[单选题]中频溅射及脉冲溅射:( )。 (1 分)
A.在一个给定电场强度下,频率越高,溅射产额越低
B.在一个给定电场强度下,频率越高,溅射产额越高
C.在一个给定磁场强度下,频率越高,溅射产额越低
D.在一个给定磁场强度下,频率越高,溅射产额越高
[单选题]溅射设备对应的是以下哪种气体分析仪( ) (1 分)
A.QuleeCGM
B.QuleeBGM
C.QuleeHGM
D.QuleeRGM
[单选题]以下哪个是Ar被选择用作溅射离子的原因( )。 (1 分)
A.相对较轻
B.相对较重
C.活性气体
D.容易与靶材反应
[单选题]关于磁控溅射的原理以下描述有误的是( )。 (1 分)
A.电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片。
B.氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,带电的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜
C.二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响,被束缚在靠
近靶面的等离子体区域内
D.二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动,该电子的运动路径很长, 在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材,经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,远离靶材,最终沉积在基片上
[单选题]磁控溅射设备放电时以下不是产生ARC放电的原因的是( ) (1 分)
A.F-MASK接地
B.靶材上有伤痕
C.XY轴摇动到靶材非工口区域
D.GS与靶材接触
[单选题]关于溅射法的溅射方向的设置一般有( )种 (1 分)
A.1
B.2
C.3
D.4
