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[单选题]以下哪个是CVD制程气体?( ) (1 分)
A.NF3
B.O2
C.N2
D.Ar
[单选题]CVD蚀刻对应以下哪种气体分析仪( ) (1 分)
A.QuleeCGM
B.QuleeBGM
C.QuleeHGM
D.QuleeRGM
[单选题]下列几组气体中,不属于PECVD制程常用的气体是( )。 (1 分)
A.H20,He,O2
B.SiH4,NH3,N2O
C.H2,NF3
D.PN2,Ar
[单选题]以下哪个不是气体管路需在点位附近marking的信息( )。 (1 分)
A.GAS种类,压力需求
B.气体流向,需求日期
C.连接配管口径大小
D.气体压力需求
[单选题]下面哪个是土中气体主要成分( )。
A.空气
B.沼气
C.天然气
D.瓦斯气体
[单选题]下记哪个不是气体管路hookup需在点位附近marking的信息( )。 (1 分)
A.GAS种类.压力需求
B.连接配管材质
C.连接配管口径大小
D.气体流向,需求日期
[单选题]下列哪个是助燃气体()。
A. 一氧化碳
B. 二氧化碳
C. 氮气
D. 氯气
[单选题]PVD制程压力范围为( )。 (1 分)
A.0~1mTorr..
B.1~2mTorr..
C.2~20mTorr..
D.20mTorr~30mTorr
[单选题]CVD制程影响质量的关键点包括( )。 (1 分)
A.反应混合物的供应
B.沉积温度
C.衬底材料
D.以上都是
[单选题]以下气体中,( )不是可燃气体。
A.. 液化石油气
B.. 甲烷
C.. 乙炔
D.. 氮气
[单选题]以下有用到CVD成膜的是( )。 (1 分)
A.半导体处理器和内存成膜;
B.光学膜和显示器膜
C.记忆媒体和太阳能电池膜
D.以上都是
[单选题]以下属于CVD中使用的特气的( )。 (1 分)
A.SiH4
B.PH3
C.NF3
D.以上全是
[单选题]以下关于CVD表述不正确的是( )。 (1 分)
A.APCVD阶梯覆盖能力差且易粒子污染
B.LPCVD高纯度阶梯覆盖能力极佳产量高,适合于大规模生产
C.PECVD不会造成化学污染
D.LPCVD高温沉积速率较低
[单选题]以下对CVD的说法正确的是( )。 (1 分)
A.通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术
B.是物理气相沉淀法的一种
C.通过将靶材气化达到镀膜目的
D.过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率
[单选题]yxqt.以下气体中,()不是可燃气体。
A.液化石油气
B.甲烷
C.乙炔
D.氮气
[单选题]( )哪个系统能及时排除有害气体。
A.环控系统
B.消防系统
C.AFC系统
D.照明系统
