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发布时间:2023-12-30 02:24:05

[单选题]A-B-J-009 3 2 5
在可控硅整流电流中,当晶闸管的移相控制角增大时,整流器输出直流电压平均值Ud( )。
A. 增加
B. 减小
C. 不变
D. 不定

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A.防止转子绕组过电压
B.保证灭磁
C.防止晶闸管失控
[单选题]A-B-J-006 3 2 4
三相半波晶闸管可控硅整流电路每次每隔( )换流一次。
A. 60°
B. 120°
C. 150°
D. 180°
[单选题]A-B-J-009 3 2 5
可控硅整流电路中,当晶闸管的移相角减小时,其输出电压平均值( )。
A. 减小
B. 增大
C. 不变
D. 不定
[简答题]换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应( )。
[简答题]1换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应------。
[多选题]电力建设-变电专业换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应()。
A.停止区域内其他作业
B.撤离无关人员
C.试验设备外壳应可靠接地
D.试验人员应与试验带电体保持0.7m以上的安全距离
[多选题] 换流站内进行晶闸管(可控硅)高压试验,应( )。 (1.0分)
A. 停止区域内其他作业
B. 撤离无关人员
C. 试验设备外壳应可靠接地
D. 试验人员应与试验带电体保持0.7m以上的安全距离
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持( )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.5
B.0.6
C.0.7
D.0.8
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持(  )m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.A-0.35
B.B-0.5
C.C-0.6
D.D-0.7
E.略
F.略
G.略
[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持()m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7

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