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发布时间:2023-11-25 01:30:07

[多选题]集成反相器的条件是( )。
A. AF=-1
B. AF=1
C. RF=0
D. RF=∞
E. RF=R

更多"[多选题]集成反相器的条件是( )。"的相关试题:

[单选题]CMOS反相器基本电路包括( )。
A.P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
B.P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
C.P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
D.P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
[单选题]CMOS反相器工作时的全部功耗应等于( )。
A.动态功耗
B.静态功耗
C.动态功耗与噪声功耗之和
D.动态功耗与静态功耗之和
[单选题] CMOS反相器的输入取自两互补管的( )。
A.栅极
B.源极
C.漏极
[判断题] CMOS反相器有良好的接近理想的电压传输特性。( )
A.正确
B.错误
[单选题] CMOS反相器与其他同类器件相比,最大的优点是( )。
A.抗干扰能力强
B.输入电阻抗高
C.低频工作时 静态功耗极低
D.带负载能力强
[判断题]CMOS反相器最突出的一大优点是静态功耗极小。( )
A.正确
B.错误
[填空题](76507)三极管反相器输入信号波形和输出波形的 ( )恰好相反。[211110232](1.0分)
[判断题]( ) 为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )231000000
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[单选题] CMOS反相器通常以P沟道管作为负载管,N沟道MOS管作为输入管,当输入高电平时,输出电平为( )V.
A.0
B.3
C.5
D.-5

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