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[判断题]用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tanδ,在试品底座法兰对地绝缘,电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下,其测得值主要反映处于下铁芯下芯柱的的1/4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间的绝缘状况。
A.正确
B.错误
[单选题]进行110kV串级式电磁式电压互感器的介损测量时,建议采用( )。
A.末端加压法
B.三倍频法
C.自激法
D.末端屏蔽法
[多选题] 110kV电容式电压互感器测量绝缘电阻时,需要注意的有()
A. 测试结束要及时可靠的恢复接地
B. 测量时要考虑环境的影响
C. 测试结束要将被试部位充分放电
D. 测量时宜使用高压屏蔽线且屏蔽层接地
[判断题] 用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tanδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥Cx引线相连;电桥按正接线方式工作。( )
A.正确
B.错误
[判断题]用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tanδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥Cx引线相连;电桥按正接线方式工作。
A.正确
B.错误
[简答题]220kV、110kV线路PT,电容式电压互感器有哪些特点 ?
[多选题]为防止110kV及以上电压等级断路器断口均压电容与母线电磁式电压互感器发生谐振过电压,母线送电，采取的措施有(____)。
A. 用断路器带电压互感器直接充电
B. 电压互感器的二次回路采取阻尼措施
C. 采取线路和母线一起充电
D. 将电压互感器隔离开关断开
[多选题]为防止110kV及以上电压等级断
路器断口均压电容与母线电磁式
电压互感器发生谐振过电压,母
线送电，采取的措施有(____)。
A.用断路器带电压互感器直接充电
B.电压互感器的二次回路采取阻尼措施
C.采取线路和母线一起充电
D.将电压互感器隔离开关断开
[单选题]2.160.
为防止110kV及以上电压等级断路器断口均压电容与母线电磁式电压互感器发生谐振过电压，可通过改变运行
和操作方式避免形成谐振过电压条件，新建或改造敞开式变电站应选用( )电压互感器。
A.电容式
B.电磁式
C.充气式
D.防过电压
[判断题]110kV及以下系统中,防止和限制空母线带电磁式电压互感器产生铁磁谐振过电压。采取在电磁式电压互感器的二次绕组中加装一个阻尼电阻R。
A.正确
B.错误
[单选题]1.282.
对110kV及以上的电磁式电压互感器，在例行试验中测整体介损tgδ增大时的原因（ ）。
A.测量接线不正确，介损桥受外电场干扰
B.电磁式电压互感器二次接线板和小套管的脏污和外绝缘表面的脏污的影响
C.受潮引起的
D.都有可能
[单选题]4.113. 第113题
采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器整体介损，其方法是高压端A加压，X端接地，底座与地绝缘，二、三次绕组一端短接后，与底座一起引入电桥，采用正接线。
A.正确
B.错误
[单选题]4.143. 第143题
在试验现场采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要是反映( )。
A.全部绕组的绝缘状态
B.1/2绕组的绝缘状态
C.1/4绕组的绝缘状态
D.只反映下部铁芯的高压绕组,即110kV级1/2,220kV级1/4的绝缘状态
[多选题]1.42.
测量串级式电压互感器tanδ和电容的主要方法有：（ ）。
A.末端加压法
B.末端屏蔽法
C.常规试验法
D.自激法
[单选题]测量串级式电压互感器绝缘支架tgδ时,法兰底座绝缘垫绝缘必须良好,否则会出现( ):
A.介质损耗因数的正误差
B.介质损耗因数的负误差
C.测不出数
D.结果为零
[单选题]采用末端屏蔽直接法测量串级式电压互感器绝缘支架时,造成灵敏度很低的原因是( ):
A.电场干扰
B.支架的电容量小
C.采用正接线
D.端子板的影响
[单选题]4.145. 第145题
测量串级式电压互感器绝缘支架介质损耗因数时,可选择的接线方式是( )。
A.自激法
B.末端加压法
C.末端屏蔽法
D.反接法
[单选题]4.144. 第144题
采用末端屏蔽直接法测量串级式电压互感器绝缘支架时,造成灵敏度很低的原因是( )。
A.电场干扰
B.支架的电容量小
C.采用正接线
D.端子板的影响。
