[单选题]测量耦合电容器介损时，tgδ与缺陷部分体积大小有关，若tgδ1、V1为绝缘良好部分介损，体积；tgδ2、V2为绝缘缺陷部分介损，体积；V为总体积，其关系式为tgδ=（____）。
A.tgδ1+tgδ2
B.tgδ1+V2tgδ2/V
C.V1tgδ1/V+tgδ2
D.V1tgδ1/V+V2tgδ2/V

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[判断题]当受潮或局部缺陷部分的体积很小时，测量整体的tanδ对反映局部缺陷不灵敏。
A.正确
B.错误

[单选题]局部缺陷体积一定时，整体的tanδ与局部缺陷部分的tanδ1的关系曲线中，随着tanδ1的增大，tanδ（____）。
A.增大
B.减小
C.先增后减
D.先减后增

[判断题]从各个方面都能探测到的缺陷是体积缺陷。（）
A.正确
B.错误

[判断题]耦合电容器运维细则中，耦合电容器发生渗漏油时，应作为严重缺陷上报。
A.正确
B.错误

[判断题]变压器铜损等于铁损时最经济。
A.正确
B.错误

[单选题]变压器铜损（）铁损时最经济
A.大于
B.小于
C.等于
D.不一定

[判断题]接触法手工探伤时，在不影响耦合的情况下，耦合剂的厚度涂的越薄越好，否则会影响缺陷定量的准确性。
A.正确
B.错误

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