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[单选题]为了保证三极管工作在放大区、在组成放大电路时，外加电源的极性应使三极管的发射结处于（ ）。
A.正向偏置状态
B.反向偏置状态
C.正向或反向偏置状态
D.饱和状态
[单选题]为了保证三极管工作在放大区、在组成放大电路时,外加电源的极性应使三极管的集电结处于( )。
A.正向偏置状态
B.反向偏置状态
C.正向或反向偏置状态
D.饱和状态
[单选题]14.为了保证三极管工作在放大区、在组成放大电路时，外加电源的极性应使三极管的集电结处于（ ）。
A.正向偏置状态
B.反向偏置状态
C.A和B都对
D.饱和状态
[填空题]晶体三极管工作在放大区时，集电结应反偏置，发射结应（ ）。
[判断题]晶体三极管工作在放大区时,集电结应正偏置,发射结应反偏置。（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]三极管的放大区是发射结正偏、集电结反偏的区域,也就是曲线近似水平的部分
它的特点是IC的大小受IB的控制( )
A.且IC>lB
B.且1C≈1B
C.且lCD.且IC>IB
[填空题](52425)晶体三极管工作在放大区时，集电结应反偏置，发射结应()___。(2.0分)
[判断题]在模拟电路中，晶体管三极管通常工作在放大区。
A.正确
B.错误
[判断题]据三极管输出特性曲线的特点,可将三极管的工作范围划分为放大区和饱和区二个区域。
A.正确
B.错误
[单选题]通用知识规定：（ ）三极管在一定偏压作用下，使之工作在放大区，此时当基极电流Ib增大时，集电极电流Ic也随之增大，而且Ic，的增大是Ib的β倍，即Ib的很小变化可引起Ic的很大变化。
A.有电流放大作用
B.有可变电阻的等效作用
C.可作无触点开关
[判断题]MU输出数据极性应与互感器一次极性一致。间隔层装置如需要反极性输入采样值时，应建立负极性SV输入虚端子模型；
A.正确
B.错误
[判断题]合并单元输出数据极性应与互感器一次极性一致。间隔层装置如需要反极性输入采样值时，应建立负极性SV输入虚端子模型。
A.正确
B.错误
[判断题]( ) 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。
A.正确
B.错误
[判断题]52.晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。（ ）
A.正确
B.错误
