更多"金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空"的相关试题:
[单项选择]金瓷冠的基底冠厚度至少为（）
A. 0.3mm
B. 0.5mm
C. 1.0mm
D. 1.5mm
E. 2.0mm
[单项选择]贵金属金瓷冠基底冠厚度最少不低于（）
A. 0.1mm
B. 0.2mm
C. 0.3mm
D. 0.5mm
E. 1.0mm
[单项选择]以下关于金瓷冠基底冠的描述错误的是（）。
A. 金瓷衔接处为刃状
B. 支持瓷层
C. 与预备体密合度好
D. 金瓷衔接处避开咬合区
E. 唇面为瓷层留出0.85～1.2mm的间隙
[单项选择]金瓷冠的金属基底冠有瓷覆盖部位的厚度一般为（）
A. 0.5mm
B. 0.6mm
C. 0.7mm
D. 0.8mm
E. 1mm
[单项选择]金瓷冠的金属基底冠由瓷覆盖的部位的厚度一般为（）
A. 0.5mm
B. 0.6mm
C. 0.7mm
D. 0.8mm
E. 1.0mm
[单项选择]金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。
A. 非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B. 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C. 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D. 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E. 理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
