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[单选题]CVD的全称是( )。 (1 分)
A.物理气相成长法
B.化学气相成长法
C.液相成长法
D.以上都不是
[单选题]CVD的的英文全称为( )。 (1 分)
A.ChemicalVaporDeposition
B.Cerebrovasculardisease
C.PhysicalVaporDeposition
D.CharacterVoice
[单选题]CVD的分类包括( )。 (1 分)
A.熱CVD(Cat-CVD,LPCVD)
B.P-CVD(RF-P-CVD,ECR-P-CVD,MV-P-CVD)
C.光CVD
D.以上全部
[单选题]CVD可细分为( )。 (1 分)
A.热CVD光CVD
B.P-CVD
C.MOCVD
D.以上都是
[单选题]CVD设备需要设置( )。 (1 分)
A.气体感知检测仪
B.废水F回收设备
C.制程气体燃烧式除害设备
D.以上全是
[单选题]CVD指的是( )。 (1 分)
A.物理气相沉积
B.化学气相沉积
C.分子束外延
D.有机蒸着
[单选题]CVD制程中的尾气( ) (1 分)
A.直接排放就可以了.
B.先检测后决定怎么处理
C.必须经过净化处理后才能排放
D.根据公司规定执行
[单选题]什么是CVD法( )。 (1 分)
A.在高温下的气相反应;
B.气体和靶材的反应;
C.轰击靶材的反应;
D.以上都是
[单选题]CVD靠什么机理成膜( )。 (1 分)
A.物理反应
B.物理碰撞
C.化学反应
D.表面贴付
[单选题]CVD的定义是什么( )。 (1 分)
A.通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
B.利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。
C.离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面,当离子进入表面,将与固体中的原子碰撞,将其挤进内部,并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。
D.采用化学反应和物理离子轰击作用进行刻蚀的技术
[单选题]CVD的方法有哪些( )。 (1 分)
A.热CVD和光CVD
B.P-CVD;
C.MOCVD;
D.以上都是
[单选题]CVD成膜主要的气体是( )。 (1 分)
A.SiH4、Ar、H2O、Ar..
B.SiH4、Ar、N2O、N2..
C.SiH4、CL2、Ar、N2..
D.SiH4、N2O、H2O、H2
[单选题]CVD成膜优点不包括:( )。 (1 分)
A.能形成多种金属,非金属和化合物薄膜
B.薄膜纯度高
C.成膜速率快
D.成膜温度高
[单选题]CVD是什么的简称?( )。 (1 分)
A.物理沉积
B.化学沉积
C.干法刻蚀
D.湿法刻蚀
[单选题]CVD成膜缺点不包括:( )。 (1 分)
A.容易引起基板,设备和气体反应
B.设备复杂,工艺复杂
C.薄膜致密
D.成膜温度高
[单选题]CVD为什么要利用PLASMA( )。 (1 分)
A.产生局部高温;
B.产生压力;
C.产生流速;
D.以上都不是
[单选题]CVD成膜说法不正确的是( )。 (1 分)
A.组成控制比较容易
B.低power成膜可能
C.不需要用到工艺气体
D.腔体比较容易清洁
[单选题]CVD设备发生气体泄漏报警时( )。 (1 分)
A.立刻逃离现场
B.先查看泄漏点
C.进行报告联络
D.跟安全部门联络
[单选题]CVD设备按成膜温度可分为( )。 (1 分)
A.高温中温低温
B.高温低温常温
C.高温中温常温
D.中温低温常温
