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发布时间:2023-12-17 20:09:45

[多选题]参照轻掺单晶生长工艺规程,拉晶过程中领用的每颗籽晶必须刻有导电型号的类型有哪两种?晶向有哪些?
A.N
B.P
C.<100>
D.<111>

更多"[多选题]参照轻掺单晶生长工艺规程,拉晶过程中领用的每颗籽晶必须刻有导"的相关试题:

[单选题]按照轻掺单晶生长工艺规程,TVS产品拉晶过程中炉压为( )Torr
A.A: 14
B.B: 17
C.C: 25
D.D: 40
[单选题]按照8英寸重掺单晶生长工艺规程规定:拉制N型8英寸重掺单晶等径断苞回熔埚位:为拉晶埚位以下()mm
A.A: 40±5mm
B.B: 40±10mm
C.C: 30±10mm
D.D: 30±5mm
[单选题]依据TVS单晶生长工艺规程文件,TVS机台大清煅烧频次()
A.A: 16
B.B: 12
C.C: 8
D.D: 6
[判断题]在操作过程中,当发现工艺规程与实际有矛盾时,应及时报告,申请改变原工艺规程。( )
A.正确
B.错误
[单选题]按照轻掺单晶生长工艺规程,TDR-70炉台化料功率( )KW
A.A: 55
B.B: 60
C.C: 65
D.D: 70
[单选题]按照8英寸重掺单晶生长工艺规程规定:引晶细颈长度大于()mm。
A.190
B.240
C.250
D.260
[单选题]按照轻掺单晶生长工艺规程,现有拉制TVS产品的炉台的投料量是多少?
A.A: 40kg
B.B: 45kg
C.C: 60kg
D.D: 90kg
[单选题]按照轻掺单晶生长工艺规程,停炉后晶体上升拉速( )mm/h;
A.A: 200
B.B: 300
C.C: 400
D.D: 500
[单选题]按照8英寸重掺单晶生长工艺规程规定:TDR100炉型主室直径为()厘米
A.A: 90
B.B: 100
C.C: 105
D.D: 110
[单选题]按照8英寸重掺单晶生长工艺规程规定:8英寸单晶等径直径控制范围()
A.A: 203±2mm
B.B: 207±2mm
C.C: 205±2mm
D.D: 209±2mm
[单选题]依据TVS单晶生长工艺规程文件,TVS产品中使用的硼粉及赤磷的纯度是()
A.A: 无要求
B.B: >6N
C.C: ≥6N
D.D: ≥7N
[单选题]按照轻掺单晶生长工艺规程,稳温前需要将籽晶置于液面以上( )mm进行预热,
A.50-100
B.100-200
C.150-250
D.200-300

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