更多"[单选题] 突触前抑制的发生是由于"的相关试题:
[单选题]突触前抑制是由于突触前膜
A.A:产生超极化
B.B:释放抑制性递质
C.C:递质耗竭
D.D:兴奋性递质释放减少
E.E:产生抑制性突触后电位
[单选题] 对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是
A.前者发生于突触后膜,后者发生于突触前膜
B.前者中间神经元是抑制性的,后者中间神经元为兴奋性的
C.前者为超极化抑制,后者为去极化抑制
D.两者抑制都与IPSP有关
E.两者最终均使突触后神经元抑制
[单选题](0.25分)【单选题】突触前抑制的发生是由于
A.突触前膜兴奋性递质释放量减少
B.突触前膜释放抑制性递质
C.突触后膜超极化
D.中间抑制性神经元兴奋的结构
E.以上原因综合的结果
[单选题]突触前抑制的产生是由于
A.中间抑制性神经元兴奋
B.突触前膜超极化
C.突触前膜释放抑制性递质
D.突触前膜释放兴奋性递质减少
E..触前膜内递质耗竭
[单选题](0.25分)【单选题】对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是
A.前者发生于突触后膜,后者发生于突触前膜
B.前者中间神经元是抑制性的,后者中间神经元为兴奋性的
C.前者为超极化抑制,后者为去极化抑制
D.两者抑制都与IPSP有关
E.两者最终均使突触后神经元抑制
[单选题]突触后抑制的产生是由于
A.A:突触后膜去极化
B.B:突触前膜去极化
C.C:突触后膜超极化
D.D:突触前膜超极化
E.E:突触后膜反极化
[单选题] 产生突触前抑制的机制是
A.突触前膜阈电位水平抬高
B.突触前末梢递质释放减少
C.突触前末梢释放抑制性递质
D.突触前膜产生IPSP
E.由抑制性中间神经元中介
[单选题]突触前抑制的结构基础是
A.胞体-树突型
B. 胞体-胞体型
C.树突-树突型
D. 胞体-轴突型
E.轴突-轴突型
[单选题]突触前抑制的重要结构基础是
A.A:轴突-胞体型突触
B.B:轴突-轴突型突触
C.C:轴突-树突型突触
D.D:胞体-树突型突触
E.E:胞体-胞体型突触
[判断题]. 抑制性突触后电位是突触后膜发生去极化 ,使突触后神经元不能产生兴奋。
A.正确
B.错误
[多选题]突触前抑制的特点是 ( )
A.突触前膜去极化
B.持续时间长
C.潜伏期较长
D.通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
E.轴突末梢释放抑制性递质
[单选题]突触前抑制应具备的条件描述，错误的是
A.A:使兴奋性突触产生抑制效应
B.B:由抑制性递质引起
C.C:突触前膜产生部分去极化
D.D:突触后膜产生兴奋性突触后电位
E.E:通过轴-轴突触的结构形式出现
[单选题] 抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致
A.Na+、K+、Cl- ,尤其是K+
B.Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
C.K+、Cl- ,尤其是Cl-
D.K+、Cl-,尤其是K+
E.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
[单选题]. 抑制性突触后电位是突触后膜产生
A.去极化
B.超极化
C.反极化
D.复极化
