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[判断题]高压电流互感器末屏的引出结构方式会影响末屏的介质损耗因数。
A.正确
B.错误
[单选题]2.133. 第133题
高压电流互感器末屏的引出结构方式会影响末屏的介质损耗因数。
A.正确
B.错误
[多选题]现场测试表明;电流互感器的末屏引出结构方式对其介质损耗因数测量结果影响较大,( )。
A.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小;
B.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大;
C.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大;
D.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小;
[多选题]3.26. 第26题
现场测试表明；电流互感器的末屏引出结构方式对其介质损耗因数测量结果影响较大，（ ）。
A.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小；
B.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大；
C.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大；
D.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小；
[多选题]3.26.第26题
现场测试表明；电流互感器的末屏引出结构方式对其介质损耗因数测量结果影响较大，（ ）。
A.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小；
B.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大；
C.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大；
D.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小；
[判断题]31.变压器调整电压的分接引线一般从高压绕组引出，是因为高压侧电流小，而且常套在外面。（ ）
A.正确
B.错误
[多选题]高压套管电容量和介质损耗因数试验影响测量的因素有()。
A.抽压小套管绝缘不良
B.相对湿度较大
C.套管附近的木梯、构架、引线等所形成的杂散损耗
D.自高压电源接到试品导电杆顶端的高压引线
[单选题] 将高压电流和低压大电流变成电压较低的小电流，供给仪表和保护装置，并将仪表和保护装置与高压电路分开的装置是（ ）。
A. 电流互感器
B. 电压互感器
C. 阻波器
D. 全选
[多选题]关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大。
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高。
D.绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降。
[多选题]1.45.第43题
高压套管电容量和介质损耗因数试验影响测量的因素有（）。
A.抽压小套管绝缘不良
B.相对湿度较大
C.套管附近的木梯、构架、引线等所形成的杂散损耗
D.自高压电源接到试品导电杆顶端的高压引线
[多选题]2.27.第26题
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大。
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高。
D.绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降。
[判断题] GIS高压组合电器内部绝缘介质是六氟化硫。
A.正确
B.错误
[判断题]变压器保护中零序电流保护为变压器高压绕组及引出线接地短路、变压器相邻元件接地短路的后备保护。
A.正确
B.错误
[判断题]机车原过流保护是由高压电流互感器和电流继电器共同 构成。
A.正确
B.错误
[单选题]220kV电流互感器介质损耗因数标准为≤( )
A.0.005
B.0.006
C.0.007
D.0.008
[判断题]设备绝缘在直流电压下,其吸收电流的大小只与时间有关,与设备绝缘结构、介质种类及温度无关。( )
A.正确
B.错误
