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[单项选择]抑制性突触后电位(1PSP)形成是由于突触后膜对哪种离子通透性增加引起的
A. Na
+
、K
+
、Cl
-
，尤其Na
+
B. Na
+
、K
+
、Cl
-
，尤其Cl
-
C. K
+
、Cl
-
，尤其Cl
-
D. K
+
、Cl
-
，尤其K
+
E. Ca
2+
、Na
+
，尤其Ca
2+
[单项选择]抑制性突触后电位(IPSP)是突触后膜对哪种离子的通透性增加所致
A. HCO3-
B. Cl-
C. Na+
D. K+
E. Ca2+
[单项选择]抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加（）
A. Na+，K+，尤其是K+
B. Ca2+，Cl-，尤其是Ca2+
C. Na+，Cl-，尤其是Na+
D. K-，Cl-，尤其是Cl-
E. K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
[单项选择]抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是（）
A. Na+，K+，尤其是K+
B. Ca2+，Cl-，尤其是Ca2+
C. Na+，Cl-，尤其是Na+
D. K+，Cl-，尤其是Cl-
E. K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
[单项选择]
抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括（）
A. Na
+，K
+，尤其是K
+B. Ca
2+，Cl
-，尤其是Ca
2+C. Na
+，Cl
-，尤其是Na
+D. K
+，Cl
-，尤其是Cl
-E. K
+，Ca
2+，Na
+，尤其是Ca
2+
[单项选择]
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加（）。
A. Na
+，K
+，尤其是K
+B. Ca
2+，Cl
-，尤其是Ca
2+C. Na
+，Cl
-，尤其是Na
+D. K
+，Cl
-，尤其是Cl
-E. K
+，Ca
2+，Na
+，尤其是Ca
2+
[单项选择]抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性改变所致
A. Cl-、K+，尤其是Cl-
B. Cl-、Na+、K+，尤其是K+
C. Na+、K+、Cl-，尤其是Na+
D. Ca2+、Na+、K+，尤其是Ca2+
[单项选择]抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
A. Na+内流
B. K+内流
C. Ca2+内流
D. Cl—内流
E. K+外流
[单项选择]抑制性突触后电位产生的离子机制主要是（）
A. Na+内流
B. K+外流
C. Ca2+内流
D. Cl-内流
E. Na+内流和K+外流
[单项选择]可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. Mg2+
[单项选择]抑制性突触后电位
A. 是去极化局部电位
B. 是超极化局部电位
C. 具有全或无特征
D. 是突触前膜递质释放减少所致
E. 是突触后膜对Na+通透性增加所致
[单项选择]抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了
A. Ca2+的离子通透性
B. Cl-的离子通透性
C. K+的离子通透性
D. Na+和K+，尤其是Na+的离子通透性
E. Cl-和K+，尤其是Cl-的离子通透性
[单项选择]抑制性突触后电位产生时，突触后膜局部的变化是（）
A. 极化
B. 超极化
C. 反极化
D. 复极化
E. 去极化
