更多"设用2K×4位的存储器芯片组成16K×8位的存储器（地址单元为0000"的相关试题:
[单项选择]假定用若干16K×8位的存储器芯片组成一个64K×8位的存储器，芯片各单元交叉编址，则地址BFFF所在芯片的最小地址为______。
A. 0000H
B. 0001H
C. 0002H
D. 0003H
[单项选择]用存储容量为16K×1位的存储器芯片组成一个64K×8位的存储器，则在字方向和位方向上分别扩展了______倍。
A. 4、2
B. 4、8
C. 2、4
D. 8、4
[填空题]设存储器的地址线有16条，基本存储单元为字节，若采用2K×4位芯片，按全译码方法组成按字节编址的存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片的数量是______片。
[单项选择]
某趾M芯片，其存储容量为16K×8位，则该芯片引出线的最小数目应为 (3) 。存储器芯片的地址范围是 (4) 。
（3）处填（）。
A. 8
B. 4
C. 16
D. 26
[单项选择]内存按字节编址，地址从90000H到CFFFFH，若用存储容量为16K×8bit的存储器芯片构成该内存，至少需要______片。
A. 2
B. 4
C. 8
D. 16
[单项选择]用32K×4位的RAM芯片构成256K×32位存储器芯片M，至少需要 (20) 个RAM芯片。若用构成的芯片M来存储16MB的内容，则至少需要 (21) 个这样的芯片M。
A. 4
B. 32
C. 64
D. 8
[单项选择]用16K×4位的RAM芯片构成64K×4位存储需要______RAM芯片，______根地址线。
A. 2
B. 3
C. 4
D. 5
[单项选择]若用24K×4位芯片构成64KB的存储器，需要( )。
A. 16片
B. 32片
C. 64片
D. 128片
[单项选择]一个16K×1位(内部采用128×128存储器阵列)的DRAM芯片，若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么对DRAM芯片所有存储单元刷新一遍需要______个存储周期。
A. 128
B. 256
C. 1024
D. 16384
[单项选择]需要一个16M×8位的存储器，现有存储芯片为1M×8位，那么主存储器的地址中用于选择存储芯片的位数为______。
A. 4
B. 16
C. 20
D. 24
[单项选择]某机器的主存储器容量共32KB，由16片16K×1位(内部采用128×128存储器阵列)的DRAM芯片字位扩展构成，若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么对所有存储单元刷新一遍需要______存储周期。
A. 128
B. 256
C. 1024
D. 16384
[简答题]某微机的寻址范围为64K，接有8片8K的存储器芯片，存储器芯片的片选信号为CS，试回答下列问题：【华中师范大学1998年】画出选片译码逻辑电路(可选用74LSl38译码器，译码器可省略除A、B、C以外的输入端)。
[单项选择]用作存储器的芯片有不同的类型。可随机读/写，且只要不断电，其中存储的信息就可一直保存的存储器，称为 (38) 。可随机读/写，但即使在不断电的情况下其存储的信息要定时刷新才不致丢失的存储器，称为 (39) 。所存信息由生产厂家用掩膜技术写好后就无法再改变的存储器称为 (40) 。通过紫外线照射后可擦除所有信息，然后重新写入新的信息并可多次进行的存储器，称为 (41) 。通过电信号可在数秒钟内快速删除全部信息，但不能进行字节级别删除操作的存储器，称为 (42) 。
A. E2PROM
B. Flash Memory
C. EPROM
D. Virtual Memory
