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[判断题]硅二极管的死区电压约为0.5伏。
A.正确
B.错误
[判断题]一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A.正确
B.错误
[单选题]硅管的死区电压约为( )。
A.0.8V
B.0.9V
C.0.7V
D.0.6V
[单选题]普通硅二极管的死区电压为（）。
A.0.1V
B.0.2V
C.0.5V
D.1.0V
[判断题]硅二极管的死区电压一般为0.2V。（）
A.正确
B.错误
[判断题]硅材料二极管的死区电压为0.3 V。（）
A.正确
B.错误
[判断题]硅管的死区电压约为0.1----0.3V（ ）。
A.正确
B.错误
[判断题]锗管的死区电压约为0.6----0.8V（ ）。
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管的正向电压约为0.2V。
A.正确
B.错误
[单选题]当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（ ）。
A.增加
B.减小
C.截止
D.饱和
[判断题]锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大（）
A.正确
B.错误
[单选题]当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（ ）
A.立即导通
B.不导通
C.超过死区电压时导通
[单选题]当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管( )。
A.立即导通
B.到0.3V时才开始导通
C.超过死区电压时才开始导通
D.不导通
