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[单项选择]如果晶体二极管的正、反向电压都较小或为零,则该二极管()。
A. 正常
B. 已击穿
C. 正向特性不良
D. 反向特性不良
[单项选择]在晶体二极管的两端加反向电压时,反向电阻很大,反向电流很小,基本处于()状态。
A. 导通;
B. 截止;
C. 放大;
D. 减小。
[单项选择]在晶体二极管的两端加反向电压时,反向电阻很大,反向电流很小,基本上处于()状态。
A. 导通
B. 截止
C. 放大
[填空题]晶体二极管的最高反向工作电压是取反向击穿电压的()。
[判断题]晶体二极管正、反向电阻均为无穷大,那么二极管己损坏。()
[单项选择]用指针式万用表测量晶体二极管的反向电阻,应该是()。
A. 用R×1档,黑表棒接阴极,红表棒接阳极
B. 用R×10k档,黑表棒接阴极,红表棒接阳极
C. 用R×1k档,红表棒接阴极,黑表棒接阳极
D. 用R×1k档,黑表棒接阴极,红表棒接阳极
[单项选择]一般规定晶体二极管最高反向工作电压为()的一半或三分之一。
A. 正向导通电压
B. 反向击穿电压
C. 死区
D. 反向截止电压
[单项选择]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为()
A. 0.7V;0.3V
B. 0.2V;0.3V
C. 0.3V;0.7V
D. 0.7V;0.6V
[单项选择]如果二极管的正、反向电阻都很大,则该二极管()。
A. 正常
B. 已被击穿
C. 内部断路
[填空题]晶体二极管具有( )导电的特性,即正向电阻小,反向电阻大的特点。
[填空题]晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
[判断题]当用万用表的欧姆档测量二极管的正、反向电阻时,若正、反向电阻都很大,说明二极管极间短路。
[单项选择]用万用表测得某晶体二极管的正反向电阻值相差很大,则说明该管子()。
A. 很好
B. 已失去单向导电性
C. 已经击穿
D. 内部已断路
[单项选择]标式二极管全波整流由()晶体二极管组成。
A. 4个
B. 2个
C. 6个