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发布时间:2023-10-04 05:04:50

[单选题]在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流Is≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确:()。
A.Uth≈0.575V,Is≈0.05pA
B.Uth≈0.575V,Is≈0.2pA
C.Uth≈0.475V,Is≈0.05pA
D.Uth≈0.475V,Is≈0.2pA

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[单选题]在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流Is≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确:()。
A.Uth≈0.575V,Is≈0.05pA
B.Uth≈0.575V,Is≈0.2pA
C.Uth≈0.475V,Is≈0.05pA
D.Uth≈0.475V,Is≈0.2pA
[判断题]对应于正向电流很小的外加正向电压叫死区电压,通常硅管的死区电压为0.5V。
A.正确
B.错误
[填空题]三极管的输入特性中存在一个死区电压:硅管的死区电压约()锗管约为()
[判断题]( )当二极管两端正向偏置电压大于死区电压,二极管才能导通。
A.正确
B.错误
[判断题](  ) 锗二极管死区电压为0.1 V,导通电压为0.3 V。
A.正确
B.错误
[判断题](  ) 硅二极管死区电压为0.5 V,导通电压为0.7 V。
A.正确
B.错误
[判断题]176硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7v。( )
A.正确
B.错误
[判断题]175.锗二极管死区电压为0.1V,导通电压为0.3V。( )
A.正确
B.错误
[判断题]52.晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。( )
A.正确
B.错误
[判断题]锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。()
A.正确
B.错误
[简答题] 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值
反向击穿电压
[单选题]稳压管工作于反向击穿区,当反向电压小于其击穿电压时,反向电流( )。
A.很小
B.很大
C.不变
D.适中
[单选题]47.稳压管工作于反向击穿区,当反向电压小于其击穿电压时,反向电流( )。
A.很小
B.很大
C.不变
D.适中
[判断题]二极管最高反向工作电压是指二极管所允许的最高反向工作电压的峰值,它的数值低于反向击穿电压.(  )
A.正确
B.错误
[单选题]晶闸管反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小( ).
A.50V
B.80V
C.100V
D.120V

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