[填空题]DRAM芯片2164的存储容量为（），该芯片有（）条地址引脚。

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[单项选择]下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高
Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高
Ⅲ．SRAM比DRAM速度快
Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
其中错误的叙述是______。
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ

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[名词解释]存储器芯片的存储容量

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[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
ⅠDRAM芯片的集成度比SRAM高
ⅡDRAM芯片的成本比SRAM高
ⅢDRAM芯片的速度比SRAM快
ⅣDRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新
通常情况下，错误的是( )。
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ

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[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ DRAM芯片的集成度比SRAM高
Ⅱ DRAM芯片的成本比SRAM高
Ⅲ DRAM芯片的速度比SRAM快
Ⅳ DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新
通常情况下，错误的是______。
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ

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[单项选择]对存储器按字节进行编址，若某存储器芯片共有10根地址线，则该存储器芯片的存储容量为( )。
A. 1KB
B. 2KB
C. 4KB
D. 8KB

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[单项选择]对存储器按字节进行编址，若某存储器芯片共有10根地址线，则该存储器芯片的存储容量为
A）1KB
B）2KB
C）4KB
D）8KB

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[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，
①SRAM比DRAM存储电路简单 ②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
其中哪两个叙述是错误的
A. ①和②
B. ②和③
C. ③和④
D. ①和④

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[填空题]对存储器按字节进行编址，若某存储器芯片共有8根地址线，则该存储器芯片的存储容量为______字节。

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[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述
Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ．DRAM比SRAM成本高
Ⅲ．DRAM比SRAM速度快
Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新
其中正确的是
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ

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[单项选择]下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述（） ①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
A. ①和②
B. ②和③
C. ③和④
D. ①和④

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[单项选择]下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高
Ⅱ．SRAM比DRAM成本高
Ⅲ．SRAM比DRAM速度快
Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
其中正确的叙述是
A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ

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[单项选择]若内存按字节编址，用存储容量为32K×8比特的存储器芯片构成地址编号AOOOOH至DFFFFH的内存空间，则至少需要______片。
A. 4
B. 6
C. 8
D. 10

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[单项选择]硬盘的存储容量比软盘的存储容量______。
A. 差不多
B. 大得多
C. 小得多
D. 小—些

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