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[简答题]何为晶粒生长与二次再结晶简述晶粒生长与二次再结晶的区别，并根据晶粒的极限尺寸讨论晶粒生长的过程。
[多项选择]根据《烧结普通砖》的规定，烧结普通砖的抗风化性通常以其( )来进行判别。
A. 吸水率
B. 耐久性
C. 强度
D. 抗冻性
E. 饱和系数
[判断题]烧结是一个包含了多种物理和化学变化的过程。
[简答题]何为晶粒生长与二次再结晶简述造成二次再结晶的原因和防止二次再结晶的方法。
[简答题]在制造Al2O3陶瓷时，原料的粒度为2μm。在烧结温度下保温30min，测得晶粒尺寸为10μm，则在同一烧结温度下保温2h后，晶粒尺寸为多少μm为抑制晶粒生长在原料粉末中加入0.2%MgO，并在同样的烧结温度下保温2h，则晶粒尺寸为多少μm
[简答题]某一粉末压块，其粉末平均粒径为2μm，烧结至最高温度保温0.5h，测得晶粒尺寸为10μm，试问若保温2h，晶粒尺寸多大为抑制晶粒生长加入0.1%晶粒生长抑制剂，若也保温2h，晶粒尺寸有多大
[单项选择]
PFM桥烧结前应干燥
A. 5～7min
B. 30L/min
C. 40～45℃/min
D. 50～55℃/min
E. 60～70℃/min
[单项选择]
自身釉烧结的温度是
A. 低于体瓷烧结愠度6～8℃
B. 高于体瓷烧结温度10℃
C. 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D. 形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E. 防止磨料成分污染金属表面
[判断题]晶粒长大过程中，大角度晶界具有比较快的迁移速度。（）
[单项选择]
PFM桥烧结开始的排气速度是
A. 5～7min
B. 30L/min
C. 40～45℃/min
D. 50～55℃/min
E. 60～70℃/min
[单项选择]
用釉粉上釉的烧结温度是
A. 低于体瓷烧结愠度6～8℃
B. 高于体瓷烧结温度10℃
C. 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D. 形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E. 防止磨料成分污染金属表面
