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[单项选择]在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )
A. 每次一个单元
B. 每次刷新512个单元
C. 每次刷新256个单元
D. 一次刷新全部单元
[单项选择]动态存储器DRAM的刷新原则是( )。
A. 各DRAM芯片轮流刷新
B. 各DRAM芯片同时刷新，片内逐位刷新
C. 各DRAM芯片同时刷新，片内逐字刷新
D. 各DRAM芯片同时刷新，片内逐行刷新
[单项选择]显示存储器(显存)是PC机显卡的重要组成部分。下面是有关显存的叙述：
Ⅰ．显存也称为帧存储器、刷新存储器或VRAM
Ⅱ．显存可用于存储屏幕上每个像素的颜色
Ⅲ．显存的容量等于屏幕上像素的总数乘以每个像素的色彩深度
Ⅳ．显存的地址空间独立，不与系统内存统一编址
以上叙述中，正确的是( )。
A. 仅Ⅰ和Ⅱ
B. 仅Ⅱ和Ⅲ
C. 仅Ⅰ和Ⅳ
D. 仅Ⅰ、Ⅲ和Ⅳ
[单项选择]若动态RAM每毫秒必须刷新1.0次，每次刷新需100ns，一个存储周期需要200ns，则刷新占存储器总操作时间的百分比是( )。
A. 0.5%
B. 1.5%
C. 1%
D. 2%
[单项选择]如果把存储器分为随机存取存储器、只读存储器、顺序存取存储器和直接存取存储器，那么这种分类方法是（）
A. 按存储介质分类
B. 按信息的可保护性分类
C. 按存取方式分类
D. 按所处位置及功能分类
[单项选择]和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。
A. 集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B. 集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C. 集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D. 集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
[单项选择]的存储器管理方法较好的解决了存储器分配时的“外零头”问题。
A. 固定分区
B. 可变式分区
C. 页式
D. 段式
[单项选择]需要进行刷新的存储器是( )。
A. SRAM
B. DRAM
C. ROM
D. EPROM
[单项选择]设存储器的地址线有15条，存储单元为字节，采用2K×4位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储芯片的数量是( )。
A. 16片
B. 32片
C. 64片
D. 128片
[单项选择]设存储器的地址线有16条，存储单元为字节，采用2K芯片(4位)，按全译码方法组成存储器，问该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片数量是( )。
A. 16片
B. 32片
C. 64片
D. 128片
