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[单项选择]下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是（）
A. DRAM是指动态随机存取存储器
B. SRAM是指静态随机存取存储器
C. EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除
D. Flash Memory既具有非易性，又能在线快速擦除和重写
[单项选择]下面与半导体存储器相关的叙述中，错误的是（）
A. RAM芯片和ROM芯片一样，即使芯片断电，其中的内容也能保持不变
B. CPU中的cache存储器由SRAM组成
C. DRAM的存取速度比SRAM慢
D. 数码相机使用的存储卡由Flash存储器组成
[单项选择]在下面四种半导体存储器中，哪一种是动态随机存取存储器
A. DDR SDRAM
B. Flash ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]在下面四种半导体存储器中，( )采用的是动态随机存取存储器。
A. RDRAM
B. Flas ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]在下面四种半导体存储器中，哪一种采用的是动态随机存取存储器
A. RDRAM
B. Flash ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]下面几种半导体存储器中，哪一种存储器既具有非易失性又能在线快速擦除和重写？（）
A. DRAM
B. SRAM
C. PROM
D. Flash Memory
[单项选择]和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。
A. 集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B. 集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C. 集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D. 集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
