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[单选题]硅二极管的死区电压约为( )
A.0.2
B.0.3
C.0.5
D.0.7
[判断题]硅二极管的死区电压约为0.5V。
A.正确
B.错误
[判断题]一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A.正确
B.错误
[判断题](74767)( )硅二极管死区电压为0.5 V,导通电压为0.7 V。( )[ 21121073](1.0分)
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管的死区电压 为 ( )。
A. 0.3V
B. 0.5V
C. 0.7V
D. 1V
E. 0V
[判断题](74766)( )锗二极管死区电压为0.1 V,导通电压为0.3 V。( )[ 211210723](1.0分)
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管的死区电压 为 ( )V。
A. 0.3
B. 0.5
C. 0.7
D. 1
E. 1.2
[单选题]硅材料二极管的死区电压为（）V。
A.0.2
B.0.4
C.0.5
D.0.1
[单选题]加在硅二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为（ ）
A.随所加电压增大而增大
B.随所加电压减小而减小
C.0.7V左右
D.0.3V左右
[判断题](74515)( )硅二极管的死区电压一般为0.2V。( )[233110714](1.0分)
A.正确
B.错误
[判断题](74599)( )硅二极管的死区电压一般为0.2V。( ) [332110214](1.0分)
A.正确
B.错误
[判断题]硅管的死区电压是0.5V，锗管的死区电压是0.2V
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的输入特性与二极管相似,也有一段死区电压。
A.正确
B.错误
[单选题]硅稳压二极管的反向击穿电压( )普通二极管的反向击穿电压
A.等于
B.小于
C.大于
D.远大于
[判断题]晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。
A.正确
B.错误
